Advertentie
Vrijwel alle bedrijven in de SSD industrie zetten in op het verhogen van de opslagcapaciteit. Zo ook de fabrikanten van de daadwerkelijke chips. Samsung heeft nu plannen onthuld voor het maken van NAND-chips met maar liefst duizend lagen in 2030. Mogelijk zien we dan ook de eerste SSD’s met een petabyte capaciteit.
Recent kondigde het bedrijf aan dat het de negende generatie NAND-chips in massaproductie brengt. Deze chips hebben 290 lagen. De volgende generatie, die volgend jaar verwacht wordt, moet 430 lagen krijgen. Op het VLSI technology symposium in Honolulu later dit jaar staat een sessie gepland die gepresenteerd wordt door Giwuk Kim. Dit is een doctoraatstudent Elektrotechniek aan de KAIST-universiteit in Zuid-Korea. Zijn onderzoek gaat over nieuwe vormen van NAND en RAM. De titel van deze lezing maakt duidelijk dat dit ook het onderwerp zal zijn. De titel is namelijk: “In-depth Analysis of the Hafnia Ferroelectrics as a Key Enabler for Low Voltage & QLC 3D VNAND Beyond 1K Layer Experimental Demonstration and Modeling”.
Nu lijkt dit niet direct iets met Samsung te maken te hebben, maar een co-auteur van de paper is Samsung Electronics. In de samenvatting staat onder andere dat er experimenteel is aangetoond dat er een flinke verbetering in prestaties is. Dit moet komen doordat het gebruik van op hafniumoxide gebaseerd FE-NAND zelfversterkende effecten met zich meebrengt, wat ervoor zorgt dat de gate op een lager voltage zijn werk kan doen. De technologie moet ervoor zorgen dat de ontwikkeling in 3D VNAND weer accelereert na een recente periode van stagnatie.
Overigens is Samsung niet het enige bedrijf wat zich bezighoudt met hafnia (hafniumoxide) ferro-elektriciteit. Ook Samsung’s grootste rivaal op het gebied van NAND-geheugen, SK Hynix, is prominent aanwezig op het symposium. SK Hynix is namelijk verantwoordelijk voor de overkoepelende sessie op het symposium, waar de presentatie van Giwuk Kim dus onder valt. De overkoepelende sessie draagt de naam “Non-Volatile Memory Technology - Hafnia Based Ferroelectrics-1” en wordt gegeven door Deoksin Kil, die hoofd is van het departement materiaalontwikkeling bij SK Hynix.