Advertentie
Naast de tot 18% hogere prestaties moet het nieuwere productieprocedé ook een tot 10% hogere dichtheid bewerkstelligen. Intel 4 wordt ingezet in de Meteor Lake-chips van het bedrijf. Bij Lunar Lake en het aankomende Arrow Lake heeft het bedrijf gekozen een groot deel van de chipproductie uit te laten voeren door TSMC op zijn 3 nm procedé.
De stap van Intel 4 naar Intel 3 wordt volgens Intel binnen een jaar genomen en het zou derhalve gezien kunnen worden als een stevige verbetering in zo’n korte tijd. De prestatieverbeteringen zouden voornamelijk behaald zijn door veel kleine optimalisaties door te voeren in elke stap van het productieproces. De extra dichtheid moet voornamelijk mogelijk zijn gemaakt door een nieuwe set standaard cel libraries met hoge dichtheid te introduceren. Deze moeten dienst doen naast de eerdere varianten die geoptimaliseerd zijn voor een hoger vermogen. De andere onderdelen binnen de chip zijn qua formaat onveranderd.
Intel maakt vier verschillende varianten van het Intel 3 procedé. Intel geeft aan dat dit risico’s vermindert. Intel 3 en 3-T zijn de basis procedés met als enige verschil dat de T-variant ‘through-silicon vias’ (TSV’s) toelaat in het proces waardoor het mogelijk is om dies te stapelen. Intel 3-E moet een set I/O toevoegen voor externe interfaces en analoge signalen waarmee chips gemaakt op basis van 3-E breder inzetbaar zijn in meer uiteenlopende apparatuur. De Intel 3-PT node combineert alle voordelen van de andere variaties en verbetert deze ook nog in enkele gevallen. Dit moet deze chips nog makkelijker inzetbaar maken en Intel verwacht dat dit procedé dan ook een lange tijd relevant zal blijven voor zowel Intel zelf als klanten van Intel’s foundry.
Intel 3 zou al in massaproductie zijn gegaan voor zowel de Intel Xeon 6-generatie als voor externe klanten. Met deze mijlpaal lijkt het bedrijf goed op weg te zijn om zijn ambitieuze 5N4Y-plan (5 nodes in 4 jaar) waar te maken. Het bedrijf heeft sinds bekendmaking van dat doel drie nodes in massaproductie gebracht en wil aankomend jaar de overstap maken naar RibbonFET in plaats van FinFET. Dit moet het 20A en 18A procedé mogelijk maken waarmee het bedrijf weer voorop zou moeten lopen op gebied van productieprocessen.
