Nieuws

Chipproductie en foundry

Intel 18A lijkt zowel tegenvallende yields als SRAM-dichtheid te hebben

Portret van de auteur


Intel 18A lijkt zowel tegenvallende yields als SRAM-dichtheid te hebben
0

Advertentie

Volgens de Zuid-Koreaanse krant Chosun zouden de yields van Intel’s aankomende 18A-node behoorlijk tegenvallen. Dit volgt op een artikel van Reuters waarin gesteld werd dat Broadcom niet blij is met Intel’s nieuwe procedé. Daarnaast is wat informatie naar buiten gekomen over de transistor dichtheid en ook hierin lijkt de node tegen te vallen.

Volgens Chosun zouden de yields slechts op 10% liggen, wat betekent dat slechts één op de tien gemaakte chips werkt. Dit zorgt voor heel hoge productiekosten en vrij trage doorvoer, wat de node geheel ongeschikt maakt voor massaproductie. Deze problemen doen een beetje denken aan de tweede generatie 3nm-node bij Samsung. Deze zou slechts yields hebben behaald van 20%, wat het ook ongeschikt maakte voor de commerciële productie van chips. 

Toch is het niet een en al kommer en kwel. Intel heeft namelijk nog enige tijd om de yields te verbeteren, aangezien het pas in de loop van 2025 wil beginnen met massaproductie met de 18A-node. Tegen die tijd moet het wel beter gaan, want de node is al aangevraagd voor de productie van veel chips van verschillende klanten. Hieronder vallen Intel zelf, maar ook Amazon Web Services, het Amerikaanse ministerie van Defensie, en Arm. 

Wat echter wel meer zorgen wekt zijn de door Tom’s Hardware opgeduikelde informatie over de SRAM-transistor dichtheid. Intel’s 18A-node lijkt namelijk te blijven steken op 31,8 Mb/mm2, wat hetzelfde is als TSMC’s N3E node. TSMC’s N2 node die rond dezelfde tijd in massaproductie moet gaan als Intel’s 18A-node heeft een veel hogere dichtheid van 38 Mb/mm2. Normaal gesproken is SRAM-dichtheid een redelijke indicator van prestaties, maar dat hoeft deze keer niet helemaal te gelden.

Intel introduceert namelijk verschillende nieuwe technologieën in chips op basis van de 18A-node. Zo stapt Intel over op ‘Gate All Around’-transistors ten faveure van FinFET en wordt ‘backside power delivery network’ ingezet. Het is nog onduidelijk wat die technologieën exact zullen gaan betekenen voor prestaties of efficiëntie van het nieuwe productieproces, maar de verwachting is dat Intel zich hierdoor toch kan meten met TSMC. TSMC stapt ook over op GAA-transistors met zijn N2-node, maar maakt nog niet gebruik van BSPDN. Uiteindelijk is het afwachten of de 18A-node van Intel een succes wordt, maar het is zeker dat Intel enig succes wel nodig heeft om verdere problemen in het bedrijf te verijdelen.