Advertentie
De Duitse start-up FMC (Ferroelectric Memory Company), die in 2016 werd opgericht, wil de productie van geheugenchips terug brengen naar Europa, of beter gezegd naar Duitsland.
Handelsblatt heeft nu gemeld dat FMC 100 miljoen euro aan investeringen heeft opgehaald, wat het bedrijf een stap dichter bij zijn doel zou brengen om de productie van geheugenchips naar Europese bodem te brengen. 77 miljoen euro zal komen van financiële investeerders, en de resterende 23 miljoen van onderzoeksfinanciering van de overheid.
Op het eerste gezicht klinkt deze 100 miljoen als veel geld, maar vergeleken met de investeringen die wereldwijd in dit segment worden gedaan, is het relatief weinig. De grote geheugenfabrikanten zoals Micron, Samsung en Sk Hynix genereren miljardenomzetten en investeren momenteel zwaar in de uitbreiding van hun productiecapaciteit. Nieuwe of opkomende geheugenfabrikanten zoals de Zuid-Koreaanse start-up Rebellion hebben onlangs 250 miljoen US dollar opgehaald.
FMC heeft nu meer geld voor het ontwerpen van eigen geheugenchips. Er zal voorlopig geen eigen productie plaatsvinden. CEO Thomas Rückes wilde aan het Handelsblatt niet onthullen waar FMC zijn chips precies zal laten produceren. Mogelijk blijft het bedrijf in de directe omgeving en kiest het voor Globalfoundries.
FMC werkt ook aan de bouw van een eigen chipfabriek. Naar verluidt heeft FMC hiervoor in regeringskringen geld gevraagd in de orde van grootte van 1,3 miljard euro. Of dergelijke bedragen ooit in de eigen chipfabriek zullen worden geïnvesteerd, is net zo twijfelachtig als de realisatie van de DRAM+ technologie zelf. Verschillende bedrijven werken al tientallen jaren aan een nieuw, revolutionair type chip. Tot nu toe is er echter nog weinig van te zien en DRAM is de quasi-standaard voor vluchtig en snel geheugen.
DRAM+ chips van FMC
FMC werkt aan een nieuwe generatie niet-vluchtig geheugen dat zowel als DRAM als SRAM gebruikt kan worden. De kern van de technologie is een materiaal genaamd hafniumoxide, dat onder elektrische spanning van structuur kan veranderen. De zuurstofatomen in het materiaal nemen twee stabiele posities aan - naar boven of naar beneden - en genereren zo een signaal dat als een logische toestand kan worden opgeslagen.
In tegenstelling tot traditionele geheugentypes zoals DRAM of SRAM, heeft de oplossing van FMC geen regelmatige verversingscycli nodig om gegevens vast te houden. Het idee om hafniumoxide op deze manier te gebruiken is nog relatief nieuw. De huidige onderzoeksresultaten tonen echter aan dat het materiaal bij uitstek geschikt is voor geheugentoepassingen. Het is robuust, hittebestendig en duurzaam - en biedt tegelijkertijd een hoge snelheid en betrouwbaarheid.
FMC geeft een bedrijfstemperatuurbereik op van -40 tot 150 °C en een levensduur tot 10¹⁵ schrijfcycli. De gegevens zouden over een periode van tien jaar stabiel moeten blijven. Met een bedrijfsspanning van slechts 1 V en schakeltijden van minder dan een nanoseconde is de nieuwe geheugentechnologie ook uiterst krachtig en energiezuinig.