PLC
-
Samsung onderzoekt nieuwe NAND-flash geheugen die tot wel 25x zuiniger moet zijn
Deze flinke energiebesparing moet mogelijk gemaakt worden door een nieuw type transistor, genaamd Ferroelectric Field-Effect Transistors, ofwel FeFETs. Naast het sterk verminderde stroomverbruik moet het ook mogelijk zijn om 5 bits in een cell te verwerken met deze transistors, waardoor de dichtheid vergelijkbaar of zelfs beter is dan met huidige NAND-flash technologieën. Het onderzoek waarin deze nieuwe technologie wordt beschreven is enkele... [meer]