TI News Bot
News
Thread Starter
- Lid geworden
- mrt 6, 2017
- Berichten
- 74,932
Deze flinke energiebesparing moet mogelijk gemaakt worden door een nieuw type transistor, genaamd Ferroelectric Field-Effect Transistors, ofwel FeFETs. Naast het sterk verminderde stroomverbruik moet het ook mogelijk zijn om 5 bits in een cell te verwerken met deze transistors, waardoor de dichtheid vergelijkbaar of zelfs beter is dan met huidige NAND-flash technologieën. ... verder lezen