Advertentie
SK hynix kondigt de start van de massaproductie aan van zijn qlc-nandflashgeheugen met 321 lagen en een capaciteit van 2 Tb (256 GB). Volgens de Zuid-Koreaanse chipfabrikant gaat het om het eerste qlc-geheugen dat meer dan 300 lagen gebruikt. Qlc staat voor quad level cell, betekent dat er vier bits per geheugencel worden opgeslagen. Deze techniek biedt meer opslag voor een lagere prijs van triple level cell (tlc), maar moet het onderdoen op het gebied van snelheid en betrouwbaarheid.
Met het nieuwe qlc-nandgeheugen verdubbelt SK hynix de capaciteit per geheugenchip. Om een mogelijke prestatievermindering in NAND-geheugen met een hoge capaciteit tegen te gaan heeft het bedrijf het aantal onafhankelijke bewerkingseenheden binnen een chip verhoogd van vier naar zes stuks. Dit maakt een hogere parallelle verwerking mogelijk en verbetert de gelijktijdige leesprestaties. Volgens SK hynix is de gegevensoverdrachtsnelheid per afzonderlijke geheugenchip verdubbeld, zijn de schrijfprestaties met 56% verbeterd en de leesprestaties met 18%. Bovendien is de energie-efficiëntie tijdens het schrijven met meer dan 23% verbeterd.
De eerste opslagproducten met het 321-laags qlc-nand zullen naar verwachting in de eerste helft van 2026 op de markt komen. SK hynix is in eerste instantie van plan om het nieuwe geheugen te gebruiken in nvme-ssd's voor pc's, voordat het toepassingsgebied wordt uitgebreid naar ssd's voor bedrijven en ufs-opslag voor smartphones. SK hynix is ook van plan om 32DP-stacking te gebruiken om 32 qlc-nandchips op elkaar te stapelen. Dat maakt packages met een capaciteit van 8 TB per stuk mogelijk, wat vooral interessant moet zijn voor ssd's voor datacenters.