Advertentie
Intel, SoftBank en de Universiteit van Tokio zijn van plan een startup op te richten met de naam Saimemory, die een nieuw type DRAM-stackgeheugen gaat ontwikkelen. Dat meldt Nikkei Asia op basis van verschillende bronnen. De eerste prototypes zullen naar verwachting vanaf 2027 beschikbaar zijn en de commerciële inzet staat gepland voor 2030.
Hoe het nieuwe, gestapelde DRAM precies wordt opgebouwd, is nog niet bekend. Het wordt echter gezien als een alternatief voor High Bandwidth Memory, of kortweg HBM. HBM bestaat ook uit verschillende DRAM-chips die verticaal op elkaar gestapeld zijn en met elkaar verbonden zijn via zogenaamde through-silicon vias (TSV's). HBM is via een brede interface (momenteel 1.024 bits per stack) gekoppeld aan de computerchip, waarbij gebruik wordt gemaakt van een zogenaamd interposersubstraat. Dit zorgt voor korte signaalpaden en een zeer hoge bandbreedte bij een laag stroomverbruik.
Mogelijk willen de betrokken bedrijven alleen een alternatief bieden, omdat HBM op dit moment slechts door drie bedrijven wordt geproduceerd: SK Hynix, Micron en Samsung. NVIDIA koopt bijvoorbeeld HBM3E voor zijn Blackwell-accelerators uitsluitend in bij Micron en SK Hynix, terwijl Samsung al maandenlang de verificatie niet kan doorstaan. In het verleden zijn er regelmatig knelpunten geweest in de levering van HBM.
De nieuwe ontwikkeling van een gestapeld DRAM lijkt vooral gericht te zijn op energie-efficiëntie. Ook de ontwikkeling van HBM4 is in deze richting gepland. Deze moet een aanzienlijk hogere bandbreedte bieden dan HBM3E, omdat de busbreedte per stack wordt verdubbeld tot 2048 bits – wat snelheden tot 1,6 TB/s mogelijk maakt. Bovendien stijgt de maximale opslagcapaciteit per stack tot 64 GB, vergeleken met 36 GB voor HBM3E. Verbeteringen in de architectuur, zoals gescheiden data- en besturingslijnen en efficiënter vernieuwingsbeheer, zorgen voor een lagere latentie en een hogere energie-efficiëntie.
Vrijwel alle geheugenfabrikanten werken ook aan een nieuwe vorm van Stacked DRAM, zo ook Samsung. Het doel van de ontwikkeling is om de capaciteit per cel te verhogen, waardoor de totale capaciteit van de chips toeneemt. Het is nog maar de vraag in welke richting de ontwikkeling van Saimemory zal gaan.