Advertentie
Het Taiwanese TSMC zal géén gebruik maken van High-NA EUV-lithografie voor zijn toekomstige A14-node, bedoeld voor het angstrom-tijdperk. In plaats daarvan blijft het bedrijf vertrouwen op zijn bestaande EUV-apparatuur met een numerieke apertuur van 0.33. Kevin Zhang, Senior Vice President bij TSMC, liet weten dat het bedrijf bewust kiest voor vertrouwde technologieën om de productie beheersbaar te houden en de kosten te drukken.
De massaproductie van chips op de A14-node staat gepland voor 2028. Volgens TSMC kunnen de beoogde prestatiewaarden, yields en transistorverpakkingsdichtheid tot aan de 2nm-generatie worden gehaald zonder dat High-NA-lithografie noodzakelijk is. Door het aantal maskerlagen van generatie op generatie te verminderen, kan TSMC zijn klanten betaalbare oplossingen blijven bieden, zonder concessies te doen aan prestaties of schaalbaarheid.
Deze strategie lijkt sterk op die van Intel Foundry en sommige DRAM-fabrikanten, die momenteel al beperkt gebruik maken van High-NA EUV voor hun meest kritische lagen. Apparatuur voor High-NA EUV, zoals de EXE:5000-scanners van het Nederlandse ASML, is nog extreem kostbaar, met prijzen rond de 380 miljoen dollar per stuk. Ze vereisen hogere belichtingsdosissen en leveren doorgaans lagere yields op dan de huidige low-NA systemen.
Onderzoekers bij IBM hebben onlangs aangetoond dat een enkele belichting met High-NA ongeveer 2,5 keer duurder is dan een low-NA exposure. Toch, wanneer je vier low-NA maskerlagen vergelijkt met één enkele High-NA-pas, blijkt de kostprijs per wafer 1,7 tot 2,1 keer goedkoper te kunnen uitvallen bij High-NA — mits de toepassing complex genoeg is. Volgens marktonderzoeker SemiAnalysis wordt echte kostenefficiëntie pas ergens rond 2030 bereikt.
Tot nu toe is Intel de enige foundry die High-NA op grote schaal gaat inzetten. Het bedrijf heeft al 30.000 testwafers geproduceerd op zijn 14A-node met behulp van ASML’s nieuwe EXE:5000-scanner.