Advertentie
Het Instituut voor Microstructuurfysica van de Russische Academie van Wetenschappen heeft een langetermijnplan gepresenteerd voor de ontwikkeling van eigen EUV-lithografiemachines met een golflengte van 11,2 nanometer. De roadmap loopt van 2026 tot 2037 en voorziet in een gefaseerde opbouw richting sub-10nm productietechnologie.
Opvallend is dat de Russische aanpak niet de architectuur van ASML’s EUV-systemen volgt, maar kiest voor alternatieve technologieën. Daarbij wordt gebruikgemaakt van hybride solid-state lasers, een xenonplasma-lichtbron en Ru/Be-spiegels die geschikt zijn voor de gekozen golflengte. Volgens de onderzoekers vermindert het gebruik van xenon in plaats van tin de slijtage van fotomaskers aanzienlijk, wat de onderhoudsbehoefte verlaagt.
De roadmap kent drie ontwikkelingsfases:
- 2026–2028: eerste systeem, geschikt voor 40 nm, met een tweespiegeloptiek en een productiecapaciteit van ruim vijf wafers per uur.
- 2029–2032: tweede generatie, gericht op 28 nm (mogelijk 14 nm), met vier spiegels, verbeterde overlay-nauwkeurigheid en een doorvoer van meer dan 50 wafers per uur.
- 2033–2036: derde generatie, ontworpen voor sub-10 nm, met zes spiegels, een precisie van 2 nm en een doorvoer boven 100 wafers per uur.
De ontwikkelaars claimen dat de machines kostenefficiënter zullen zijn dan de Twinscan-platforms van ASML en dat ze aantrekkelijk kunnen zijn voor kleinere foundries buiten het huidige ecosysteem. Toch blijven er vragen bestaan over de uitvoerbaarheid: het gebruik van een niet-standaard golflengte van 11,2 nm brengt aanzienlijke technische uitdagingen met zich mee, onder meer voor optiek, lichtbronnen en resistmaterialen.
Als het project slaagt, zou Rusland hiermee een stap zetten richting zelfvoorzienende chipproductie en mogelijk een alternatief bieden voor internationale spelers die geen toegang hebben tot de bestaande EUV-markt.